Диоды Шоттке КДШ2102А-5, КДШ2102Б-5, КДШ2102В-5

No votes yet
Срок доставки: 
5 - 15 дней
Цена:
По запросу

Кремниевые эпитаксиально-планарные диоды с барьером Шоттки КДШ2102А-5, КДШ2102Б-5, КДШ2102В-5 предназначены для использования в гибридных схемах (ГС) с общей герметизацией, а также для сборки дискретных приборов.

Основные электрические параметры
Наименование параметра, режим и условия измерения, единица измерения Буквенное обозначение Значение параметра
Мин. Типовое Макс.
Постоянный обратный ток диода, Iобр  

 

-

 

 

-

 

 

0,5

(tи 300 мкс, Q 100), мА
(Uобр = 40 В) КДШ2102А-5
(Uобр = 60 В) КДШ2102Б-5 - - 0,5
(Uобр = 100 В) КДШ2102В-5 - - 0,5
Постоянное прямое напряжение диода Uпр  

 

-

 

 

-

 

 

0,5

(Iпр = 2 А, tи 300 мкс, Q 100), В

КДШ2102А-5

КДШ2102Б-5 - - 0,7
КДШ2102В-5 - - 0,79
Пробивное напряжение диода Uпроб  

 

40

 

 

-

 

 

-

(Iобр = 10 мА, tи 300 мкс, Q 100), В

КДШ2102А-5

КДШ2102Б-5 60 - -
КДШ2102В-5 100 - -
Общая емкость диода (Uобр = 5 В, f = 1 МГц), пФ Сд - - 140
Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации
Наименование параметра

(режим измерения), единица измерения

Буквенное обозначение параметра Норма
КДШ2102А-5 КДШ2102Б-5 КДШ2102В-5
Максимально допустимое обратное напряжение диода, В Uобр,max 40 60 100
Максимально допустимое повторяющееся импульсное обратное напряжение диода

(Q > 2, f = 15 Гц), В

Uобр,и,п,max 40 60 100
Максимально допустимый средний прямой ток диода

(Тср 25 С, f 15 Гц, Q 2), А *

Iпр,ср,max 2 2 2
Максимально допустимый повторяющийся импульсный прямой ток диода

(Тср 25 С, Q 2, f 15 Гц), А *

 

Iпр,и,п,max

 

12

 

12

 

12

Максимально допустимый неповторяющийся импульсный прямой ток для единичной синусоидальной полуволны длительностью 5 мс

(Тср 25 С), А

 

Iпр,и,нп,max

 

50

 

50

 

50

Максимально допустимая температура перехода, С Тпер,max 150 150 150
* При сборке в корпус КТ-28-1