Импульсные диодные матрицы КД907Б-1, КД907Г-1

Артикул:

10088

Производитель:

ООО «Транзистор»

Наличие на складе:

Уточняйте у менеджера

Цена по-запросу

Под заказ

В корзину

Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные бескорпусные диодные матрицы полупроводниковые (ДМП) с гибкими выводами без кристаллодержателя КД907Б-1, КД907Г-1, предназначенные для применения в составе гибридных интегральных микросхем.

Основные электрические параметры
Параметры	Обознач.	Ед. измер.	Режимы измерения	Миним.	Типовое	Максим.
Постоянный обратный ток	Iобр.	мкА	Uобр.=40В	0,05	0,3	6
Постоянное прямое напряжение	Uпр.	В	Iпр.=50мА	0,75	0,85	1
Общая ёмкость диода ДМП	Сд	пФ	Uобр.=0	1	2	4
Заряд восстановления	Qвос	пКл	Iпр.=50мА Uобр,и=10В	100	200	400

Предельно-допустимые режимы эксплуатации
Параметры	Обозначение	Единица измерения	Значение
Постоянное обратное напряжение диода	Uобр. max	В	40
Максимально допустимое импульсное обратное напряжение диода (длительность импульса не более 2 мкс, скважность не менее10)	Uобр. и max	В	60
Суммарный максимально допустимый средний прямой ток через все элементы или любой одиночный диод в диапазоне температур окружающей среды от минус 60 до 60 С при температуре окружающей среды 85 С	Iпр.ср. max	мА	50 30
Суммарный максимально допустимый импульсный прямой ток (длительность импульса не более 2 мкс, скважность не менее 10, без превышения Iпр,ср max через все элементы или любой одиночный диод) в диапазоне температур окружающей среды от минус 60 до 60 С при температуре окружающей среды 85 С	Iпр,и,max	А	0,7 0,5
Длительность импульса при расчёте скважности определяется на уровне обратного напряжения 40В В диапазоне температур окружающей среды от 60 до 85 С значения токов снижаются по линейному закону.