Транзистор КТ817В
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ817В предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Особенности
- Диапазон рабочих температур: - 60 до + 150 C
- Комплиментарная пара – КТ816
Обозначение технических условий
- аАО. 336.187 ТУ / 02
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ817А, Б, В, Г
- пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) – КТ817А9, Б9, В9, Г9
Вывод
(корпус КТ-27) |
Назначение
(корпус КТ-27) |
Вывод
(корпус КТ-89) |
Назначение
(корпус КТ-89) |
№1 | Эмиттер | №1 | База |
№2 | Коллектор | №2 | Коллектор |
№3 | База | №3 | Эмиттер |
Параметры | Обозначение | Ед. изм. | Режимы измерения | Min | Max |
Граничное напряжение коллектор-эмиттер | Uкэо гр. | В | Iэ=0,1A, tи=0,3 - 1 мс | 25 | - |
КТ817А, А9 | |||||
КТ817Б, Б9 | 45 | - | |||
КТ817В, В9 | 60 | - | |||
КТ817Г, Г9 | 80 | ||||
Обратный ток коллектора | Iкбо | мкА | Uкэ=40 В | - | 100 |
КТ817А, А9 | |||||
КТ817Б, Б9 | Uкэ=45 В | - | 100 | ||
КТ817В, В9 | Uкэ=60 В | - | 100 | ||
КТ817Г, Г9 | Uкэ=100 В | - | 100 | ||
Обратный ток коллектор-эмиттер | Iкэr | мкА | Uкэ=40 В, Rбэ | - | 200 |
КТ817А, А9 | |||||
КТ817Б, Б9 | Uкэ=45 В, Rбэ | - | 200 | ||
КТ817В, В9 | Uкэ=60 В, Rбэ | - | 200 | ||
КТ817Г, Г9 | Uкэ=100В, Rбэ | - | 200 | ||
Статический коэффициент передачи тока | h21э | Uкб=2 B, Iэ=1A | 25 | 275 | |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Uкэ нас | В | Iк=1 A, Iб=0,1A | - | 0,6 |
Параметры | Обозначение | Единица измер. | Значение |
Напряжение коллектор-эмиттер (Rэб | Uкэ max | В | 40 |
КТ817А, А9 | |||
КТ817Б, Б9 | 45 | ||
КТ817В, В9 | 60 | ||
КТ817Г, Г9 | 100 | ||
Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 5 |
Постоянный ток коллектора | Iк max | А | 3 |
Импульсный ток коллектора | Iки max | А | 6 |
Максимально допустимый постоянный ток базы | Iб max | А | 1 |
Рассеиваемая мощность коллектора | Pк max | Вт | 25 |
Температура перехода | Tпер | C | 150 |